八英寸SOI

 公司新闻     |      2024-03-20 00:53

 

近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所(以下简称微系统所)硅基材料与尊龙凯时人生就是博z6com集成器件实验室研究员蔡艳、欧欣合作,利用上海微技术工业研究院标准180 nm硅光工艺在八英寸 SOI上制备了硅光芯片,再基于“离子刀”异质集成技术,通过直接键合的方式将铌酸锂与SOI晶圆实现异质集成,并通过干法刻蚀技术实现了硅光芯片波导与LN电光调制器的单片式混合集成,制备出通讯波段MZI型硅基铌酸锂高速电光调制器。相关研究成果将在2024年美国激光及光电子学会议(CLEO)上进行口头报告。


得益于优良的材料质量和器件制备技术,器件在10 Hz至1 MHz频率范围内的三角波电压信号下的调制效率稳定,在测量频率范围内器件保持稳定的VpiL值。同时,器件具备较好的低直流漂移特性,证明薄膜铌酸锂材料和氧化硅包层的沉积质量较好,缺陷较少。调制器的光眼图测试结果显示,在NRZ调制信号下传输速率达到88 Gbit/s, PAM-4调制信号下传输速率达到176 Gbit/s。 

通过“离子刀”异质集成技术实现大尺寸晶圆级硅基铌酸锂异质集成材料与芯片 图片来源于微系统所

据了解,通过“万能离子刀”技术,铌酸锂薄膜可与硅光芯片实现大面积低缺陷密度的集成,两者结合展现出优良的电光调制性能。微系统所异质集成XOI团队目前已验证该工艺路线进一步扩展至八英寸的可行性,未来可实现大规模的商业化制备。